полупроводник в магнитном поле

Рис. 6.8. Распределение поля и заряда внутри домена, поясняющее эффект Ганна.

Эффект Ганна применяется в диодах Ганна, использующихся для генерации СВЧ колебаний.

Лекция 15. Полупроводники в магнитном поле.

Эффект Холла. Тензор магнитосопротивления. Холловская подвижность. Квантование электронов и дырок в сильном магнитном поле. Уровни Ландау. Циклотронный резонанс. Квантовый эффект Холла.

Рассмотрим схему измерений, похожую на ту, что использовалась для измерения удельного сопротивления. Контакты 1 и 2 – токовые контакты, контакты 3-6 потенциальные контакты. В отсутствии магнитного поля, если наш образец однороден по сопротивлению, при пропускании тока через него, падение напряжения между контактами 3 и 5 равно нулю (как и между контактами 4 и 6). В 1879 году, американский физик Э.Холл обнаружил, что если приложить перпендикулярно к образцу магнитное поле, между контактами 3-5 возникает напряжение (Э.Д.С. Холла), пропорциональное току, протекающему через образец. Рассмотрим причины данного эффекта, названного по имени первооткрывателя эффектом Холла.

Рис. 6.9. Схема измерения эффекта Холла.

В постоянных электрическом и магнитном полях на заряженную частицу действует сила Лоренца.

Рассмотрим полупроводник с электронным типом проводимости, концентрация дырок в котором пренебрежимо мала, поэтому их вкладом в ток можно пренебречь. Скорость движения электронов состоит из хаотической тепловой и дрейфовой. В силу линейности силы Лоренца от скорости . Так как в среднем тепловая скорость равна нулю, то средняя сила зависит только от дрейфовой скорости. Установившийся (после включения магнитного поля) в образце ток течёт слева направо (рис. 6.9), вертикальной компоненты у тока нет. Это происходит из за того, что магнитная составляющая силы Лоренца уравновешивается силой, возникающей из-за Э.Д.С. Холла:

(6.9)

Выразим дрейфовую скорость из формулы 6.7 , где — компонента напряжённости электрического поля, параллельная току. Тогда:

(6.10)

При измерении эффекта Холла важно правильно выбрать геометрию образца и контактов. Металлические контакты 1 и 2 – эквипотенциали на краях образца, на рисунке 6.9 они вертикальны, тогда как в глубине, у контактов 3-6, эквипотенциали наклонены на угол q. Поэтому, для уменьшения искажений, вносимых токовыми контактами, их необходимо удалить от потенциальных контактов. Если угол q мал, то сопротивление образца между контактами 5 и 6 равно: , тогда, можно найти удельную проводимость: . Измеряемая экспериментально Холловская Э.Д.С. равна: . Отсюда подвижность . То есть, измеряя Э.Д.С. Холла можно определить подвижность носителей заряда. Теперь определив подвижность и проводимость, используя можно определить связь между концентрацией носителей заряда и Э.Д.С. Холла:

(6.11)

знак Э.Д.С. Холла направлением магнитного поля и знаком носителей заряда. Постоянную называют коэффициент Холла, или постоянная Холла: . Попробуйте самостоятельно получить, что при учёте дырок с концентрацией p, постоянная Холла равна:

(6.12)

Как уже отмечалось, влияние магнитного поля приводит к тому, что направлением тока становится не параллельно направлению электрического поля. Проводимость становится тензором: . Удельное сопротивление также становится тензором, в этом случае говорят о тензоре магнитосопротивления. Чтобы точно найти тензор удельного сопротивления (и обратный ему тензор удельной проводимости) нужно найти движение заряженной частицы в скрещенных электрическом и магнитном полях с учётом конечной вероятности её рассеяния (обратно пропорциональной времени релаксации по импульсу). Затем надо усреднить скорость по всему ансамблю частиц, с учётом того что время релаксации зависит от энергии (и от скорости) частицы [2.3]. Качественно, результат заключается в следующем. Недиагональные члены тензора проводимости будут пропорциональны магнитному полю. Диагональные члены тензора проводимости будут чуть меньше, чем в случае отсутствия магнитного поля. Ведь теперь, чтобы сместиться вдоль поля E, частица должна проделать путь больший в раз.

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Источник

Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках

Гальваномагнитными эффектами в полупроводниках называются такие явления, которые возникают при одновременном действии на полупроводник электрического и магнитного полей.

Все гальваномагнитные эффекты делятся на поперечные (действие электрического и магнитного полей обнаруживается на гранях полупро­водника, параллельных электричес­кому и магнитному полям) и продоль­ные (проявляются вдоль образца).

К поперечным относятся эффекты Холла и Эттинсгаузена, к параллель­ным—изменение сопротивления образ­ца в магнитном поле и эффект Нернста (продольная разность температур).

Рассмотрим только эффект Холла. Если полупроводник, вдоль которого течет электрический ток, поместить в магнитное поле, перпендикулярное

направлению тока, то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это явление получило название эффекта Холла, а возникающая по­перечная ЭДС — ЭДС Холла.

На рис. 8.8 изображена пластинка полупроводника n-типа. Электрическое поле Е направлено параллельно оси Z, а магнитное

поле Н — вдоль оси У. На движущийся в магнитном поле электрон действует сила Лоренца, которая отклоняет его в направлении, перпендикулярном направлению магнитного поля. В результате электроны будут накапливаться у одного из торцов образца. На противоположной грани будет создаваться положительный нескомпенсированный заряд, обусловленный ионами донорной приме­си. Такое накопление зарядов будет происходить до тех пор, пока действие возникшего в результате такого процесса электрического поля не уравновесит действующую на электрон силу Лоренца. Ус­ловие равновесия действующей на электрон силы в скалярной фор­ме можно записать в виде

где Vn — средняя скорость направленного движения электрона;

В — магнитная индукция в образце; Ex — напряженность воз­никшего поперечного электрического поля.

Считая поперечное электрическое поле однородным, получим

где а — ширина пластинки; Ux — ЭДС Холла. Известно также, что j = сигмаЕ или

Используя (8.24), из (8.22) получаем

Величина Rx называется коэффициентом Холла и определяется

ЭДС Холла в полупроводнике n-типа можно определить по формуле

Знак минус отражает тот факт, что носителями заряда в данном полупроводнике являются электроны. Для полупроводников р-типа получается аналогичное выражение, только лишь концентра­ция п будет заменена на р и направление поперечного электрическо­го поля будет противоположным, т. е. ЭДС Холла будет положи­тельная. Это обстоятельство используется для определения типа электропроводности полупроводников.

Если выразить ток в А, напряженность магнитного поля — в А/м, холловское напряжение — в В, толщину образца — в см, то коэффициент Холла равен (cm 3 /k)

Таким образом, измерив разность потенциалов Холла Ux при из­вестном токе I, напряженности магнитного поля Н и толщине образ­ца b рассчитываем Rx. Далее, если известны коэффициент Холла Pх и электропроводность, легко вычислить концентрацию носителей заряда и величину подвижности.

Эффект Холла интересен не только как метод определения харак­теристик полупроводниковых материалов, но и как принцип дейст­вия целого ряда полупроводниковых приборов, нашедших техниче­ское применение.

Основным элементом структуры большинства типов полупровод­никовых приборов является электрический переход- переходный слои в полупроводниковом материале между двумя областями с раз­личными типами электропроводности или разными значениями

удельной электропроводности, причем одна из областей может быть металлом.

Электрический переход между двумя областями полупроводни­ка. одна из которых имеет электропроводность р-типа, а другая —

n-типа, называют электронно-дырочным переходом или р-п-переходом.

Сооздать р-n-переход механическим соединением двух полупро­водников с различным типом электропроводности невозможно электронно-дырочные переходы получают путем введения в полупроводник донорной и акцепторной примесей таким образом, чтобы одна часть полупроводника обладала электронной, а другая — ды­рочной электропроводностью.

Рассмотрим две отдельно взятые области электронного и ды­рочного полупроводников, показанные на рис. 8.9, а. Основные но­сители заряда в полупроводнике n-типа — электроны (на рис. 8.9,о обозначены знаком минус), а в полупроводнике р-типа—дырки (на рис. 8.9, а обозначены знаком плюс). Ионизированные атомы донорной и акцепторной примеси обозначены соответственно знака­ми плюс и минус в кружочках. Неосновные носители в электрон­ном и дырочном полупроводниках не обозначены, так как их кон­центрация очень мала в сравнении с концентрацией основных носи­телей.

Условно будем считать, что п- и р-полупроводники приведены в идеальное соприкосновение (рис. 8.9. б). Так как в n-полупроводнике много электронов, а в р- полупроводнике много дырок, между полупроводниками начнется интенсивный обмен носителями заря­да. За счет разности концентраций электроны из полупроводника n-типа диффундируют в полупроводник р-типа, оставляя в приконтактной области полупроводника n-типа нескомпенсированный по­ложительный заряд ионов донорной примеси. Дырки, в свою очередь,

При смене полярности внешнего напряжения электрическое по­ле объемных зарядов и внешнее поле будут совпадать по направле­нию. В результате действия суммарного электрического поля ос­новные носители будут двигаться от перехода и пересечь переход смогут только неосновные носители. Так как количество неоснов­ных носителей во много раз меньше основных, то и ток, ими обу­словленный, будет мал по сравнению с тем, который получится при прямом включении. При данном включении электронно-дыроч­ный переход «заперт» и через него может протекать только малый обратный ток неосновных носителей.

На рис. 8.10 показана зависимость между током, текущим через р-п-переход, и внешним напряжением, которая называется вольт-амперной характеристикой. Описывается вольт-амперная характе­ристика р-n-перехода следующим выражением:

I = Is (e qU/(kT) –1) (8.29)

где Is — ток насыщения (при обратном включении р-п-перехода этот ток равен обратному току); U — приложенное напряжение;

Простые полупроводники

a) Германий. Германий—один из наиболее тщательно изучен­ных полупроводников, и многие явления, характерные для полу­проводников, впервые экспериментально были обнаружены на этом материале.

Существование и основные свойства германия предсказал Д. И. Менделеев в 1870 г. назвав его экасилицием. В 1886 г. немец­кий химик К. Винклер обнаружил в минеральном сырье новый элемент, который он назвал германием. Германий оказался эквива­лентен экасилицию. Содержание германия в земной коре невелико, но встречается он в естественных условиях во многих частях света. Выделяют германий из германийсодержащей руды чаще всего в ре­зультате химической переработки сырья с помощью концентриро­ванной НСL в виде тетрахлорида германия GeCL₄. Тетрахлорид гер­мания — летучая жидкость, которую подвергают глубокой очист­ке, используя методы экстракции и ректификации. После очистки GeCl₄ его гидролизуют водой, в результате чего получается диоксид германия GeO₂ — порошок белого цвета. После просушки GeO₂, восстанавливается в токе очищенного водорода при температуре 650 °С до элементарного германия, представляющего собой серый порошок. Восстановленный таким образом германий подвергается травлению в смеси кислот и его сплавляют в слитки. Слитки ис­пользуют в качестве исходного материала для получения особо чи­стого германия методом зонной плавки или же непосредственного получения монокристаллов методом вытягивания из расплава.

Сущность метода зонной плавки заключается в том. что узкая расплавленная зона перемещается вдоль горизонтально располо­женного образца, находящегося в графитовой или кварцевой ло­дочке. Примеси, имеющиеся в образце, оттесняются к концу слитка. Для высококачественной очистки весь процесс повторяют много раз или используют установки более совершенной конструкции, позволяющие создавать вдоль слитка одновременно четыре или пять расплавленных зон.

или поднимать для подбора оптимального положения тигля с расплавом по отношению к нагревательному элементу В. В каче­стве нагревательного элемента используют обычно печь сопротивле­ния или источник индукционного высокочастотного нагрева. Через верхний фланец камеры соосно с нижним штоком Б-1 вводится верхний шток Б-2, на нижнем конце которого крепится монокри­сталлическая затравка кристаллизуемого материала. Затравка вво­дится в расплав и выдерживается в нем, пока не произойдет оплав-ление поверхности. Когда это про­изойдет, затравку, вращая, начи­нают медленно поднимать. За за­травкой тянется жидкий столбик расплава, удерживаемый поверх­ностным натяжением. Попадая в область низких температур над поверхностью тигля, расплав за­твердевает, образуя одно целое с затравкой. Этим способом в насто­ящее время получают монокри­сталлы германия диаметром до 100 мм, а иногда и более.

химически устойчив на воздухе при комнатной температуре. Раз­мельченный в порошок германий при нагревании на воздухе до тем­пературы примерно 700 °С легко образует диоксид германия GеО₂. Герма­ний слабо растворим в воде и практически нерастворим в соляной и разбавленной серной кислоте. Активными растворителями гер­мания в нормальных условиях является смесь азотной и плавиковой кислот и раствор перекиси водорода. При нагревании германий ин­тенсивно взаимодействует с галогенами, серой и сернокислыми сое­динениями.

Основные физические свойства германия, кремния и селена при­ведены в табл. 8.1.

Температурные зависимости удельного сопротивления германия при различном содержании донорной примеси представлены на рис. 8.12. Германий, применяемый в полупроводниковых приборах, обладает удельным сопротивлением от миллионных долей Ом-м до значений, близких к удельному сопротивлению собственного германия

Германий применяется для изготовления диодов различных ти­пов, транзисторов, датчиков ЭДС Холла, тензодатчиков. Оптические свойства германия позволяют его использовать для изготов­ления фотодиодов и фототранзисторов, модуляторов света, опти­ческих фильтров, а также счетчиков ядерных частиц. Рабочий диа­пазон температур германиевых приборов от —60 до +70 °С.

Б) Кремний. В противоположность германию кремний является одним из самых распространенных элементов в земной коре; его со­держание в ней около 29 %. Однако в свободном состоянии в при­роде он не встречается, а имеется только в соединениях в виде окисла и в солях кремниевых кислот. Чистота природной окиси кремния в виде монокристаллов кварца иногда достигает 99,9 %; в ряде мес­торождений чистота песка достигает 99,8—99.9 %.

Технология получения кремния полупроводниковой чистоты вклю­чает в себя следующие операции:

I) превращение технического крем­ния в легколетучее соединение, ко­торое после очистки может быть легко восстановлено; 2) очистка соединения физическими и хими­ческими методами; 3) восстановле­ние соединения с выделением чис­того кремния; 4) конечная очистка кремния методом бестигедьной зонной плавки; 5) выращивание монокристаллов.

В полупроводниковом произ­водстве наибольшее распростране­ние получил метод водородного восстановления трихлорсилана SiHCI₃. Его получают обработкой измельченного технического кремния сухим хлористым водородом при температуре 300 — 400 0 С:

Трихлорсилан представляет собой жидкость с температурой ки­пения 32 0 С. Поэтому он легко очищается методами экстракции, адсорбции и ректификации.

Электропроводность кристаллов SiC при нормальной темпера­туре примесная. Тип электропроводности и окраска кристаллов карбида кремния зависят от инородных примесей или определяются избытком атомов Si или С над стехиометрическим составом. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. Примеси элементов V группы (N, P, As, Sb, Bi) и железа в карбиде дают зе­леную окраску и электропроводность /г-типа, элементы II (Са, Mg) и III групп (В, Al, Ga, In) — голубую и фиолетовую окраску и электропроводность p-типа. Избыток Si приводит к электронной электропроводности SiC, а избыток С — к дырочной.

Некоторые параметры рассматриваемых соединений приведены в табл. 8.2.

Арсенид галлия среди соединений A ПI B V занимает особое поло­жение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ). высокая под­вижность электронов [0,85 м 2 /Вс)! позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для из­готовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Гаипа, тран­зисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовле­ния детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны (0,17 эВ) и очень высокую подвижность электронов — 7,7 м 2 / (Вс). Широкое применение в серийной производстве светодиодов нашел фосфид галлия, имеющий большую ширину запрещенной, зоны (2,25 эВ). В отличие от других соединений группы A III B V чрезвы­чайно высокой чувствительностью к механическим напряжениям об­ладает антимонид галлия. Удельное сопротивление GaSb увеличи­вается в два раза при воздействии давления 4-10 8 Па. При таком же давлении, приложенном к кристаллам GaAs и 1пР, их удельное со­противление меняется лишь на 3 %. Благодаря высокой чувстви­тельности к деформациям антимонид галлия используют при изго­товлении тензометров.

К полупроводниковым соединениям A II B V I относят халькогениды цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селениды и теллуриды.

Основные физические свойства данных соединений указаны в табл. 8.3.

Среди полупроводниковых соединений типа A IV B V I наиболее изученными являются халькогениды свинца: PbS. PbSe, РЬТе. Сульфид, селенид и теллурид свинца в естественном состоянии встре­чаются в виде минералов галенита, клаусталита и алтаита. Первый минерал является одной из самых распространенных руд свинца, два других в природе обнаруживаются довольно редко. Моно­кристаллы PbS, PbSe, РЬТе получают в основном путем осажде­ния из газовой фазы, методом выращивания из расплава или мето­дом медленного охлаждения расплава с использованием естествен­ного градиента температуры печи. Основные физические свойства халькогенидов свинца приведены в табл. 8.4.

Из табл. 8.4 видно, что эти соединения являются узкозонными полупроводниками. Халькогениды свинца используют для изготов­ления фото рези сто ров в инфракрасной технике, инфракрасных лазе­ров, тензометров и термогенераторов, работающих в интервале тем­ператур от комнатной до 600 °С.

Источник

Дубликаты не найдены

Рубрика: «назад в будущее». Здесь вас познакомят со смешнявками годными 10 лет назад. Времена всемирного подключения и КрЕвЕдОк.

Сопротивление проводника выше сопротивления проводницы.

учите дети физику, она вам пригодится

О, шутки пятилетней давности распаковали

Не самая честная работа

10 лет отработал в СМИ, потом 2 года в букмекерской конторе. Пришел на собеседование в другую компанию, вроде все понравилось, потом просто немного поболтали. Один из собеседующих задал вопрос:

— А вот вы работали в букмекерской конторе, вас не смущает, что там все делается не самым честным путем?

Ржали всем собеседованием.

Когда спросил у жены, где деньги, которые были на карте

Добавить, честно говоря, нечего. Все кратко, ёмко и по существу. (с)

Теория относительности вечернего времени

Ментальная борьба за женщину

Памятник Цою в Караганде

Удачно и со вкусом

Женись на мне

Продолжение поста «Ни дня без в край обнаглевших лиц без национальности»

Хотя надо отдать должное сотрудникам оперативно сработали, снимаю шляпу

А вот гости столицы:

Мадам отдельное спасибо от всего честного люда.

Полицейский не смог спасти пенсионерку от мошенников

Полицейский не смог убедить пенсионерку, которая решила перевести деньги мошенникам.

Женщину, получавшую инструкции у банкомата по телефону, заметили работники банка и сразу вызвали полицию. Приехавший на место сотрудник МВД попытался объяснить пенсионерке, что ее хотят обмануть, но у него ничего не вышло.

Через несколько дней женщина пришла в отделение с заявлением о хищении почти 900 тысяч рублей.

Ещё хуже, если по помытому надо идти

Безудержное общение

С катающимися по полу шарами

Нежность.

Сон на МКС

Знаете ли вы, что cон на Международной космической станции строго регламентирован, как и распорядок дня? В расписание закладывается восемь часов сна. Официально отбой в 22:00 UTC (всемирное время, меньше московского на 3 часа), подъем – в 6:00. Не всегда, правда, удается соблюдать этот график, потому что, как и на Земле, есть какие-то срочные дела – рабочие или личные, но космонавты стараются.

Весь международный экипаж спит одновременно, без несения вахт, как это было на американских шаттлах. На станции используется искусственное освещение, которое на ночь выключают, – горят только экраны компьютеров и лампочки других приборов. Получается такое слабое освещение, как в салоне самолета в темное время суток. Когда экипаж отдыхает, центры управления полетами с Земли контролируют работоспособность всех систем станции.

Спим мы в спальниках, по типу туристических – с прорезями для рук и капюшоном, которые крепятся к стене простыми веревочками. Это важно: если не зафиксируешь себя на одном месте, через некоторое время можно оказаться в другом, потому что на станции постоянно работает вентиляция. А вот подушки и матрасы в невесомости не нужны. Свернулся в спальнике поудобнее – и все.

Конечно, лучше, когда у тебя есть своя каюта. Но иногда случается кому-то из космонавтов ночевать в одном из модулей, прикрепив свой спальный мешок к свободному месту на стене или на потолке. У нас такое произошло во время «пересменки» в 2013 г., когда сразу три корабля «Союз» были пристыкованы к МКС. Нас было девять человек, а кают всего шесть (две наши, четыре американские). Теперь, с прибытием модуля «Наука», у наших космонавтов появилась третья каюта.

На станции всегда шумно из-за работы множества разной аппаратуры. Мы постоянно живем при 67–69 децибелах [70 дб — разговор двух человек в метре от слушателя. прим. ред.]. Для сравнения: шум взлетающего самолета – 100–110 децибелов. Но к этому привыкаешь и в общем-то даже не замечаешь. Зато сразу улавливаешь изменения этого шума, если какой-то прибор начал «барахлить». Тем не менее врачи рекомендуют все же давать ушам «передышку». Сон как раз хороший период для отдыха нашей слуховой системы. Поэтому космонавты, ложась спать, используют беруши или наушники с активным шумоподавлением.

Надо сказать: если вдруг на станции включится сигнал тревоги, никакие наушники не спасут – ты в любом случае услышишь этот звук.

Чтобы не проспать, можно завести будильник на часах – и они завибрируют на руке в нужное время. А я, например, подключал наушники к планшету, где выставлял время для пробуждения. И в общем-то никогда не просыпал, даже когда снилось что-то родное.

В космосе, конечно, чаще всего видишь во сне простую земную жизнь: например, как ты едешь в метро или стоишь в пробке. Наверное, мозгу просто не хватает новых впечатлений. Ведь на станции практически постоянная картинка: один и тот же интерьер, лица товарищей по экипажу. На улицу не выходишь. И мозг выдает какие-то запомнившиеся картинки. Зато стоит вернуться на Землю, как начинаешь видеть сны про космический полет.

Сергей Николаевич Рязанский— российский космонавт-испытатель отряда космонавтов Роскосмоса. Журнал «Русский космос», сентябрь 2021г.

Девушка избитого тремя дагестанцами в метро Москвы рассказала о его состоянии

Девушка избитого тремя дагестанцами в московском метро Романа Ковалева Анна Ульфан рассказала о его состоянии. Ее слова приводит Telegram-канал RT.

Сразу после избиения Роман позвонил Анне. Сейчас он находится в больнице с переломом носа и кости под глазом, россиянина госпитализировали на 7-10 дней. Ковалев уже написал заявление в полицию.

«Они начали на девушку наезжать, оскорблять ее. Он заступился за нее. (. ) Друг дагестанца со стороны ударил его», — подтвердила причину избиения россиянина дагестанцами девушка.

Ранее сообщалось, что в метро Москвы трое приехавших на заработки молодых людей избили россиянина, который вступился за девушку. Инцидент произошел 4 октября на станции «Первомайская». Ролик с избиением появился в сети. В нем трое мужчин жестоко избивают ногами лежащего на полу потерпевшего. Кроме того, злоумышленники угрожали людям, которые пытались их остановить. Позднее стало известно об аресте одного из участников нападения. Двое других задержаны.

Колдунство какое-то

Велоцараптор

Эколожь и всратые инновации

У меня накопилось несколько ярких примеров «инноваций» смысл которых в извлечении дополнительной прибыли, не более того. И просто неимоверно бесит, раздражает, выводит из себя, бомбит, когда производитель, сделавший такое при этом начинает говорить что он ведет ответственный бизнес и заботится об окружающей среде. Три раза ха! На заголовок я поставлю вот эту картинку двух аккумуляторов, которые отличаются лишь разъемом (ну и чуть чуть емкостью, но это не важно для функционирования):

Есть и видеоверсия, для тех кто предпочитает слушать:

Понятно, что в таких условиях реальной заботы об окружающей среде быть не может. А так как государство планирует на десятки лет вперед, оно давит на корпорации, заставляя прекратить использование токсичных красок для игрушек, прекратить делать подставки под игрушки несовместимые меж собой, ну и наконец продавать запасные части игрушек дольше, чем они находятся в моде.

Корпорации в ответ на такое давление начинают генерировать иннобрехню.

Аккумуляторная вакханалия есть во многих типах техники. Например:

Аккумуляторы для телефонов так вообще приличными словами описать не смогу. Вот вам реально важно, что у вас телефон на 1,57 мм тоньше и ради этого вы готовы отказаться от крышки и съемного аккумулятора? А вам принципиально, что благодаря ширине, меньшей на 2,75 мм у вашей модели телефона аккумулятор становится уникальный и от другой модели не подходит? В итоге имеем полнейший зоопарк размеров аккумуляторов, что почти гарантирует, что спустя лет 10 новый аккумулятор на свою немассовую модель вы не найдете, почти идеальное преступление. И правильно, починив свой старый телефон ты лишаешь прибыли производителя, так нельзя!

Добавляем в кабель специальную микросхему, теперь все производители кабелей для зарядки будут платить нам. Для прикрытия наговорим что-нибудь про заботу о пользователе, что мол поддельные кабели кака, а у нас быстрая зарядка и т.д. Про всякие приколы с разрушением изоляции у разъема я вообще молчу.

А вот еще инновация:

Источник